【TLC技术升级！单颗1TB】海力士SK-Hynix量产128层4D NAND Flash

从去年开始SSD价格就在持续下跌，因此各NAND Flash厂商都开始采取不同的行动，除了控制产能之外，另一个更有效的方法就是加强研发新的NAND Flash技术。日前，SK-Hynix正式宣布了其128层4D NAND Flash芯片正式开始量产，是全球首家开始量产128层NAND Flash的厂商，是自去年10月开发96层4D NAND Flash之后，时隔8个月取得的新成果。

SK-Hynix全新128层1TB NAND Flash实现了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，为了实现此工艺，SK-Hynix在自家的4D NAND技术上应用了大量创新技术，包括超均匀垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜细胞形成技术及超快速低功耗电路设计等。

新产品实现了TLC NAND Flash业界最高的1TB密度，许多储存器公司已经开发了1TB QLC NAND产品，但TLC Flash具有良好的性能及可靠性，在NAND市场中仍占有85%以上的份额，SK-Hynix则是首家将1TB TLC NAND商业化的厂商。

SK-Hynix的4D NAND最大的优势是芯片尺寸小，该公司在2018年10月宣布了创新的4D NAND，是一款结合了3D CTF（电荷陷式Flash）设计与PUC（Peri Under Cell）技术的产品。

在相同的4D平台和工艺优化下，SK-Hynix在现有96层NAND的基础上又增加了32层，使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比，96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%，大大提高了投资效率。

相较于SK-Hynix的96层4D NAND，新的128层1TB 4D NAND可使每块晶圆的位产能提高40%，SK-Hynix将从今年下半年开始发货128层4D NAND Flash，同时继续推出各种解决方案。

由于128层1TB NAND Flash产品采用了单晶片四平面构架，数据传输速率在1.2V时可以达到1400mbps，可以支持高性能、低功耗的移动解决方案以及企业SSD。

当然，SK-Hynix并没有停下脚步，已经着手开发176层的4D NAND Flash，继续增强其产品竞争力。

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