200TB容量SSD固态不是梦!NAND Flash到2030年可达800+层堆叠
- 2019-08-10 08:31
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两大韩系NAND厂Samsung及SK-Hynix在早前都齐齐公布了新NAND Flash的发展,SK-Hynix宣内成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND Flash,而Samsung则推出136层堆叠的第六代V-NAND Flash,不过NAND Flash堆叠仍未到达极限,SK-Hynix公布了公司的规划路线图,预计在2030年将会推出800+层的NAND Flash,到时更可以轻松打造出100-200TB容量的SSD。
于正在举行的Flash Memory Summit大会上,SK-Hynix公布了旗下推出的新产品及公司未来的计划,目前SK-Hynix正在开发128层堆叠的4D NAND Flash,其量产将于今年第四季度开始。
在会上SK-Hynix亦展示了一款「PE8030」的全新SSD,采用PCIe 4.0x4界面连接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量,连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s,4KB随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。
在研发进程方面,目前SK-Hynix正在开发176层NAND Flash,至于后续的发展呢?!SK-Hynix公布了他们的NAND Flash路线图,具体如下:
V4 72层堆叠:目前大规模量产中
V5 96层堆叠:目前也在大规模量产中,产能即将超越V4
V6 128层堆叠:2019年Q4季度即将规模量产
V7 176层堆叠:2020年问世
500层堆叠:2025年问世,TB/wafer容量比提升30%
800+堆叠:2030年问世,TB/wafer容量比提升到100-200TB
目前SK-Hynix生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit,176层堆栈时核心容量1.38Tbit,预计500层堆叠时核心容量可达3.9Tbit,到800层堆叠时则会高达6.25Tbit,是现在的6倍多。
当前SSD硬盘最大容量在15-16TB左右,按照6倍核心容量的增长来算,未来SSD容量可达200TB左右,这个容量要比HDD还要高!!
暴走电脑www.baozougouwu.com总结:两大韩系NAND厂Samsung及SK-Hynix在早前都齐齐公布了新NAND Flash的发展,SK-Hynix宣内成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND Flash,而Samsung则推出136层堆叠的第六代V-NAND Flash,不过NAND Flash堆叠仍...欢迎把本文分享给你的朋友:https://www.baozougouwu.com/article/4383.html 点此投稿
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