200TB容量SSD固态不是梦！NAND Flash到2030年可达800+层堆叠

两大韩系NAND厂Samsung及SK-Hynix在早前都齐齐公布了新NAND Flash的发展，SK-Hynix宣内成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND Flash，而Samsung则推出136层堆叠的第六代V-NAND Flash，不过NAND Flash堆叠仍未到达极限，SK-Hynix公布了公司的规划路线图，预计在2030年将会推出800+层的NAND Flash，到时更可以轻松打造出100-200TB容量的SSD。

于正在举行的Flash Memory Summit大会上，SK-Hynix公布了旗下推出的新产品及公司未来的计划，目前SK-Hynix正在开发128层堆叠的4D NAND Flash，其量产将于今年第四季度开始。

在会上SK-Hynix亦展示了一款「PE8030」的全新SSD，采用PCIe 4.0x4界面连接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量，连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s，4KB随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

在研发进程方面，目前SK-Hynix正在开发176层NAND Flash，至于后续的发展呢？！SK-Hynix公布了他们的NAND Flash路线图，具体如下：

V4 72层堆叠：目前大规模量产中

V5 96层堆叠：目前也在大规模量产中，产能即将超越V4

V6 128层堆叠：2019年Q4季度即将规模量产

V7 176层堆叠：2020年问世

500层堆叠：2025年问世，TB/wafer容量比提升30%

800+堆叠：2030年问世，TB/wafer容量比提升到100-200TB 

目前SK-Hynix生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit，176层堆栈时核心容量1.38Tbit，预计500层堆叠时核心容量可达3.9Tbit，到800层堆叠时则会高达6.25Tbit，是现在的6倍多。

当前SSD硬盘最大容量在15-16TB左右，按照6倍核心容量的增长来算，未来SSD容量可达200TB左右，这个容量要比HDD还要高！！

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