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西数公布LLF存储：与英特尔傲腾直接竞争

NAND闪存和DRAM内存正在经历大降价，但更坏的消息是全新一代技术的存储芯片开始在市场上出现。英特尔早已上市的Optane(傲腾)内存就是其中一种;三星的Z-NAND同样是一种介于DRAM和NAND的产品;东芝也在2018年推出了低延迟的XL-Flash技术。

西数公布LLF存储：与英特尔傲腾直接竞争图片

　　西数在本周的Storage Field Day上透露，LLF技术介于3D NAND与DRAM之间，类似于英特尔傲腾和三星Z-NAND，能够带来更高的性能和耐用性，旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。

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　　存储大厂西部数据(Western Digital)同样在开发低延迟闪存——LLF存储，这种内存区别于传统的3D NAND芯片的访问延迟在微妙级，使用1-bit或2-bit的存储单元。西数透露LLF是一款性能向的定制设备，LLF存储只会在数据中心或高端工作站中。LLF存储的成本是DRAM的1/10;是3D NAND产品的20倍。

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　　西数没有进一步公布低延迟闪存的所有细节，无法确认是否与东芝XL-Flash低延迟3D NAND或其它类型的闪存有关。对于西数来说，这款LLF存储的生产难度不会太大，但西数却没有明确的上市时间。

　　虽然西数已经明确LLF低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星Z-NAND产品展开竞争，但洗漱未将其称为“存储级内存”(SCM)。

　　此外，西数正在秘密开发基于ReRAM的存储级内存产品，并与惠普携手开发基于忆阻器的SCM硬件，在下一代技术投入使用前，业界会将重心放在更成熟的NAND闪存，来满足客户对于容量和性能的需求。

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